存儲漲價潮“減速”？DRAM現(xiàn)貨價近半年來首次回調(diào) 機構(gòu)：“喘口氣”或還要漲

　　遭受存儲漲價潮重壓的下游廠商們，或許能稍稍“喘口氣”了。

　　據(jù)美銀最新報告顯示，在連漲多個月之后，上周DRAM現(xiàn)貨價格走弱，這也是該價格自2025年9月以來首次出現(xiàn)回調(diào)。

　　隨著DRAM現(xiàn)貨價持續(xù)攀升，已有多家OEM反映，低階PC、智能手機與平板中的DRAM成本占比已高于合理水準。一般而言，DRAM成本占比在終端產(chǎn)品售價中的比例低于一成，但按照目前現(xiàn)貨價格計算，部分產(chǎn)品已難以吸收相關(guān)成本。

　　不過，現(xiàn)貨價與合約價情況不同，一線OEM與普通OEM的成本也不盡相同。

　　美銀指出，DRAM現(xiàn)貨與合約價格仍存在明顯落差。一線OEM拿到的DRAM合約價格仍大致在每GB 10~20美元區(qū)間，遠低于現(xiàn)貨市場水準，現(xiàn)貨價格后續(xù)可能朝合約價格回歸。

　　部分模組廠也表示，若DDR4或DDR5價格回落至20~30美元區(qū)間，不論容量或規(guī)格，市場仍具備明顯追加采購動能。

　　美銀指出，目前不好將這次回調(diào)定義為“產(chǎn)業(yè)反轉(zhuǎn)”或是“硬著陸”的早期信號，但短期價格波動已開始反映終端成本。

　　回調(diào)是短暫的，從機構(gòu)預期來看，漲價依舊是存儲產(chǎn)業(yè)的“主旋律”。

　　TrendForce今日發(fā)布的存儲產(chǎn)業(yè)調(diào)查顯示，2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲器供需失衡，原廠議價能力有增無減，全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價格環(huán)比增幅，預估整體Conventional DRAM合約價將從一月初公布的55%~60%環(huán)比增幅，改為上漲90%~95%，NAND Flash合約價則從環(huán)比增幅33%~38%上調(diào)至55%~60%，并且不排除仍有進一步上調(diào)空間。

　　此外，美銀已上調(diào)存儲產(chǎn)業(yè)中期展望，將2026 年DRAM與NAND平均銷售價格(ASP)預期上調(diào)20%以上，并小幅提高儲存位元出貨量成長假設(shè)，同時上修資本支出預估，主要反映HBM擴產(chǎn)，以及晶圓廠土木工程與電力等基礎(chǔ)建設(shè)投資增加。

　　美銀表示，在AI驅(qū)動需求與HBM擴產(chǎn)支撐下，存儲產(chǎn)業(yè)中期基本面仍偏正向，后續(xù)關(guān)鍵仍在于價格修正幅度與終端需求消化速度。其仍看好存儲產(chǎn)業(yè)具備多年成長周期，但預期2026年第二季至下半年ASP將趨于穩(wěn)定，2027年可能出現(xiàn)低于10%的價格回調(diào)。